存储芯片春天虽迟但到?AI点燃需求HBM“救场”海力士、三星等巨头财报,A股能否全面吹响“反攻集结号”

随着各路资本持续加注人工智能,高带宽内存(HBM)供不应求,包括英伟达、AMD、微软和亚马逊等全球科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3E。近日HBM“救场”存储芯片巨头财报三星电子存储业务所在DS部门二季度亏损收窄SK海力士二季度销售额超出分析师预期,公司表示,生成式AI市场的扩张已迅速推高了对AI服务器内存的需求,因此,HBM3和DDR5等高端产品的销量增加。从二级市场表现来看,沾上HBM概念的A股上市公司也乘风而起,HBM环氧塑封料供应商华海诚科、HBM代理商香农芯创和HBM基板供应商中富电路股价自5月迄今累计最大涨幅分别达157%、158%和136%

美光科技此前曾表示,AI服务器对DRAM和NAND的容量需求分别是常规服务器的8倍和3倍。存储芯片按照断电后数据是否丢失,可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储芯片常见的是DRAM非易失性存储芯片常见的是NAND闪存芯片和NOR闪存芯片。据WSTS统计,2021年存储芯片市场中,DRAM占比达到61%,NAND Flash占比为36%,其他存储芯片占比仅为3%。


(资料图片仅供参考)

东方财富证券2月研报指出,DRAM的市场头部企业为三星、SK海力士、美光等,中国大陆代表企业包括长鑫存储、福建晋华等;NAND Flash的市场头部企业为三星、铠侠、西部数据等,中国大陆代表企业主要为长江存储;NOR Flash的市场头部企业为华邦、旺宏、兆易创新等,中国大陆代表企业主要为兆易创新

全球存储芯片三大龙头SK海力士、三星和美光业绩反弹 研报指出价格、供需和空间端等吹响行业复苏号角

HBM是当下数据处理速度最快的DRAM产品,是基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片,将多个DDR芯片堆叠后与GPU封装在一起,能够实现更高带宽、更高位宽、更低功耗、更小尺寸。最新财报显示,存储芯片DRAM三大龙头SK海力士、三星和美光业绩端开始反弹三星电子23Q2由于智能手机出货量下降而营收下降,但存储业务较上一季度有所改善,官方称主要是由于公司专注于HBM和DDR5产品;SK海力士在截至6月30日的一个季度中,其销售额为7.31万亿韩元(约57亿美元),同比下降47%,但超出分析师预计的6.05万亿韩元。虽然目前HBM在SK海力士的营收占比不及1%,但今年这一比例便有望上升至10%美光23Q2业绩结束连续三季度的下降迎来反弹,此外,中国台湾地区原厂月度业绩亦连续环比改善。

天风证券潘暕7月17日发布的研报指出,近期存储芯片利好频传拐点或已现,复苏号角似乎已在耳畔。从历史周期维度看,存储行业周期约为3-4年,本周期自2020Q1起始,于2022Q1价格阶段性见顶,目前已连续6个季度降价,处于周期筑底阶段

价格方面,今年Q2起,多家供应商发出触底信号。先是三星和美光向经销商发出通知,不再低价接单DRAM及NANDFlash,拒绝接受低于4月的报价。5月份,有消息称长江存储原厂闪存正式开始涨价3-5%幅度后,三星电子、SK海力士等正在考虑提高报价。6月下旬,供货商中仅三星愿意进行cSSD(消费级固态硬盘)提前交易,经销商希望供货商让步但都遭拒绝。

潘暕指出,供给需求端,6月美光公布预计减产到2024年,早前2022Q4各原厂大幅削减资本开支,如果按正常生产周期3-4个月来看,供给有明显收缩减产效果将在Q2、Q3加速显现南亚科表示公司在部分应用领域已出现急单华邦近期消费电子、电视、物联网等三大应用客户需求回温,工控相关接单也持续发烫,客户急单涌入,而且“量也不少”

此外,空间端,短期来看23Q2起存储芯片规模或将逐季增长,长期来看AI催化下存储需求有望数倍提升。地缘政治端,海外大厂逐步退出利基市场,美光事件加速本土替代。

存储芯片将至未至的底部反转或“迟到”两个季度 机构预计DRAM或较NAND Flash更快复苏 多家A股上市公司跨界布局

值得注意的是,目前存储芯片行业似乎正从多角度证实即将触底反弹,但760亿A股龙头兆易创新股价“依然冷静”。事实上,将至未至的反转甚至已经“姗姗来迟”。近日,市场调研机构Yole Intelligence更新了一份存储芯片市场的监测数据报告,在Yole原本的预测中,全球存储芯片市场将于2023年第二季度开始复苏,但其最新报告指出对于2023年第三季度的存储芯片市场不用再抱太大的希望,乐观估计市场将从今年第四季度开始回暖

不过,预测存储市场将在即将到来的第四季度复苏的不只是Yole一家。据台湾经济日报、科技新报援引美国市场调查机构发布的最新报告称,美光、西部数据等存储芯片供货商认为产品价格已跌到底,开始取消以折扣价提前进行批量交易的模式,甚至开始抬高价格。该调查机构预计,Q3起,存储芯片价格下跌幅度将会收窄,部分产品合约价格很可能从Q4起出现上升拐点,不同产品线情况有别,明年有望全面复苏

从市场面的消息来看,DRAM的复苏可能相比NAND Flash来得更快一些。TrendForce集邦咨询最新预计称,第三季整体NAND Flash均价持续下跌约3%-8%,第四季有望止跌回升,第三季DRAM均价跌幅将会收敛至0-5%。半导体产业纵横7月25日发布的文章《存储芯片的寒风,要停了》中指出,DRAM三季度触底,NAND再等一季。此前有产业链人士表示,三星、SK海力士和美光三大厂商都希望在第三季度拉升DRAM订单的合约价,目标涨幅7%-8%。不过,由于终端市场没有看到明显的复苏迹象,因此上下游目前有明显的拉锯迹象。NAND方面,近日市场也传出上游NAND原厂计划从7月开始调涨价格的消息

此外,据网信办5月消息,在中国存储市场“占地不菲”的美光公司未能通过网络安全审查,平安证券研报指出,2022年美光在中国大陆的营业收入为33.11亿美元。分析人士指出,倘若美光在中国的业务受限,首先受益的自然是利基存储市场。在技术壁垒相对较低的利基存储领域,兆易创新是成长最快、实力最强的公司。此外,车载存储龙头北京君正和国内SLC NAND领域龙头东芯股份有望受益。下游的存储模组行业,江波龙和佰维存储在全球市场也有较强竞争力,其中江波龙的eMMC及UFS产品在全球市场占有率为6.5%,全球第六,国内第一佰维存储的eMMC及UFS全球市占率2.4%,全球第八,国内第二。这两家公司的主要供应商都包括美光。

分析人士指出,虽然存储芯片下游的库存压力还在,但通过主要厂商的动态以及行业分析数据来看底部就在眼前,为了赶上行业拐点之后的下一波旺周期,万润科技、力源信息、香农芯创和国芯科技等众多厂商跨界布局。不过,分析人士亦指出,就算把国产存储已有的公司兆易创新、北京君正、东芯股份和普冉股份等算上,目前国产存储产品大都是在SSD模组和NOR Flash层面,很难触及国际厂商大力推行的高端DRAM等市场,这就导致国产存储厂商很难享受增量市场的红利,需要在存储市场供需中随波逐流。

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